Дослідники з Фуданського університету у Китаї створили найшвидшу флеш-пам’ять у світі, що виконує близько 25 мільярдів операцій на секунду. Новий пристрій, названий «PoX», демонструє вражаючу швидкість обробки даних, витрачаючи лише 400 пікосекунд на збереження одного біту інформації.
Про це розповідає ProIT
Зазначено, що традиційні види оперативної пам’яті, такі як SRAM та DRAM, здійснюють запис інформації зі швидкістю від 1 до 10 наносекунд, проте не здатні зберігати дані у разі раптового зникнення живлення. Флеш-накопичувачі, з іншого боку, не вимагають наявності джерела живлення для зберігання даних, але потребують мікро- та мілісекунди для цього процесу, що є занадто повільно для сучасних прискорювачів штучного інтелекту, які потребують передачі терабайтів даних в режимі реального часу.
Інноваційна технологія на основі графену
Науковці з Фуданського університету під керівництвом професора Чжоу Пена модифікували внутрішню структуру флеш-накопичувача, замінивши кремнієві канали на двовимірний графен Дірака. Завдяки властивостям графену, пов’язаним із прискореним перенесенням заряда, та налаштуванню «гаусової довжини» каналу, команда досягла двовимірної суперінжекції, що дозволяє уникнути класичного вузького місця інжекції.
За словами професора Чжоу Пена, завдяки оптимізації процесів на базі штучного інтелекту його команді вдалось довести енергонезалежний флеш-накопичувач практично до його теоретичної межі.
Флешка PoX може зберігати дані без резервного живлення, що є критично важливою характеристикою для нових систем ШІ та систем з обмеженими можливостями акумуляторів. У разі масового виробництва пам’ять типу PoX може замінити традиційні високошвидкісні кеші SRAM у чіпах штучного інтелекту, скорочуючи площу та споживання енергії.
Майбутнє технології
Ця технологія може забезпечити миттєве підключення до малопотужних ноутбуків та телефонів, а також підтримувати бази даних, які зберігають цілі робочі набори в постійній оперативній пам’яті. Хоча команда не розкрила деталі щодо витривалості чи продуктивності, графеновий канал передбачає сумісність із існуючими процесами двовимірних матеріалів. Розробники наразі працюють над масштабуванням архітектури осередків та проведенням демонстрацій на рівні масиву.