Исследователи из Фуданского университета в Китае создали самую быструю флеш-память в мире, которая выполняет около 25 миллиардов операций в секунду. Новое устройство, названное «PoX», демонстрирует впечатляющую скорость обработки данных, затрачивая всего 400 пикосекунд на сохранение одного бита информации.
Об этом сообщает ProIT
Отмечено, что традиционные виды оперативной памяти, такие как SRAM и DRAM, осуществляют запись информации со скоростью от 1 до 10 наносекунд, однако не способны сохранять данные в случае внезапного отключения питания. Флеш-накопители, с другой стороны, не требуют наличия источника питания для хранения данных, но нуждаются в микро- и миллисекундах для этого процесса, что является слишком медленным для современных ускорителей искусственного интеллекта, которые требуют передачи терабайтов данных в реальном времени.
Инновационная технология на основе графена
Ученые из Фуданского университета под руководством профессора Чжоу Пена модифицировали внутреннюю структуру флеш-накопителя, заменив кремниевые каналы на двумерный графен Дирака. Благодаря свойствам графена, связанным с ускоренным переносом заряда, и настройке «гауссовой длины» канала, команда достигла двумерной суперинъекции, что позволяет избежать классического узкого места инъекции.
По словам профессора Чжоу Пена, благодаря оптимизации процессов на основе искусственного интеллекта его команде удалось довести энергонезависимый флеш-накопитель практически до его теоретической границы.
Флешка PoX может хранить данные без резервного питания, что является критически важной характеристикой для новых систем ИИ и систем с ограниченными возможностями аккумуляторов. В случае массового производства память типа PoX может заменить традиционные высокоскоростные кэши SRAM в чипах искусственного интеллекта, сокращая площадь и потребление энергии.
Будущее технологии
Эта технология может обеспечить мгновенное подключение к маломощным ноутбукам и телефонам, а также поддерживать базы данных, которые хранят целые рабочие наборы в постоянной оперативной памяти. Хотя команда не раскрыла детали относительно выносливости или производительности, графеновый канал предполагает совместимость с существующими процессами двумерных материалов. Разработчики в настоящее время работают над масштабированием архитектуры ячеек и проведением демонстраций на уровне массива.
