Samsung почала масове виробництво флешпам’яті V9 QLC 9-го покоління. Це означає швидші, дешевші та більш заощадливі SSD.
Компанія повідомляє, що нова V9 QLC використовує переваги технології Can Hole Etching для досягнення найвищої кількості шарів у галузі (280) завдяки дизайну подвійного стека. Використовуючи попередній досвід створення TLC 9-го покоління, V9 QLC приблизно на 86% щільніша, ніж QLC V-NAND попереднього покоління. Samsung також використовує технології Designed Mold та Predictive Program для збільшення продуктивності збереження даних приблизно на 20% та швидкості введення/виведення даних на 60%.
Енергоспоживання також було значно зменшено завдяки функції Low-Power Design. Вона зменшує напругу, яка керує комірками NAND, та зменшує споживання енергії на 30% або 50% відповідно для читання та запису даних.
Samsung планує застосувати QLC 9-го покоління у різних продуктах, від звичайних твердотілих накопичувачів до пам’яті UFS для мобільних телефонів. Samsung обіцяє нову QLC клієнтам постачальників хмарних послуг як серверні SSD.
Новий 280-шаровий QLC від Samsung здається найкращим у галузі, з найкращою щільністю та продуктивністю порівняно з рішеннями конкурентів. Щільність зберігання становить 19,5 Гбіт/мм², що робить V9 майже на 50% щільнішим за наступне найкраще рішення, 232-шаровий QLC YMTC 20,63 мм². Продуктивність імовірно на 33% вища, ніж у конкурентів, із робочою швидкістю 3,2 Гбіт/с.
Завдяки цим удосконаленням Samsung зможе зробити накопичувачі майже на 50% дешевшими. Продуктивність також буде значно кращою, оскільки V9 QLC, можливо, буде працювати близько до недорогих SSD, які використовують флешпам’ять TLC NAND.
Kioxia анонсує обмін даних з SSD зі швидкістю світла — оптичне з’єднання дозволить розмістити їх далеко від серверів
Джерела: Samsung, Tom`s Hardware