На тлі посилення конкуренції з Intel компанія Samsung Foundry вирішила провести ребрендинг своєї технології виробництва другого покоління 3-нм класу, раніше відому як SF3. Майбутній вузол було перейменовано на SF2, щоб позначити виробничий процес класу 2 нм. Про це повідомляють обізнані джерела. Однак Samsung Foundry ще офіційно не підтвердила це перейменування.
Джерело стверджує, що минулого року Samsung Electronics підписала контракт із Samsung Foundry на 3-нм виробництво 2-го покоління. Але згодом контракт було переглянуто, щоб відобразити зміни в найменуванні техпроцесу. Ці зміни, начебто, відбулись на початку цього року.
Зазначається, що перейменування є частиною планів Samsung щодо спрощення номенклатури процесів. Але, ймовірно, воно також допоможе південнокорейському гіганту краще конкурувати з Intel Foundry, чий 2-нм виробничий вузол під назвою Intel 20A, як очікується, з’явиться пізніше цього року.
Samsung оголосила про свою дорожню карту технологічних процесів ще у 2022 році, перерахувавши низку вузлів, які будуть розгорнуті до 2027 року. Відповідно до дорожньої карти, вона буде націлена на масове виробництво 2-нм техпроцесу (SF2P) до 2025 року та 1,4-нм (SF1.4) до 2027 року. Компанія також заявила, що планує збільшити свої виробничі потужності для передових вузлів більш ніж у 3 рази до 2027 року.
Однак на початку цього року Samsung повідомила своїх клієнтів про зміни у своїй дорожній карті та перейменування процесу SF3 на SF2. На цей час немає інформації про те, чи є якісь реальні зміни в архітектурі нового вузла, окрім ребрендингу. Тобто клієнти, швидше за все, отримають ту саму технологію, що пропонував колишній вузол SF3.
Очікується, що Samsung випустить свій новий процес SF2 у другій половині цього року. З того, що відомо зараз, SF2 використовує транзистори Gate-all-around (GAA) або Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistors (MBCFET), але не має технології живлення чипа на зворотній стороні (BSPDN), на відміну від Intel 20A. BSPDN начебто покращує продуктивність транзистора, знижує енергоспоживання, збільшує щільність логічних транзисторів і усуває перешкоди між ланцюгами даних і живлення, що потенційно дає Intel 20A значну перевагу. Samsung все ще розробляє таку технологію.
Джерело: techspot