Longsys представила первый в мире интегрированный mSSD с NAND, контроллером и питанием на одном чипе

|
Longsys представила первый в мире интегрированный mSSD с NAND, контроллером и питанием на одном чипе

Компания Longsys представила инновационный micro SSD (mSSD), в котором все ключевые компоненты, включая NAND-память, контроллер, микросхему управления питанием и пассивные элементы, интегрированы непосредственно в одном чипе. Благодаря применению технологии System-in-Package (SiP) на уровне кремниевой пластины удалось полностью отказаться от традиционной печатной платы и многочисленных пайки соединений.

Об этом сообщает ProIT

Преимущества новой архитектуры mSSD

Производитель заявляет, что такой подход позволяет сократить количество потенциальных дефектов в десять раз: уровень DPPM (дефекты на миллион устройств) снизился с ≤1000 до ≤100. Оптимизация производственного процесса устраняет необходимость в многоэтапном поверхностном монтаже и повторной пайке, что увеличивает эффективность, упрощает производство и снижает себестоимость более чем на 10%. Также решение Longsys способствует снижению энергопотребления и выбросов CO₂.

Технические возможности и универсальность

Новый накопитель имеет компактный форм-фактор — всего 20×30×2,0 мм при массе 2,2 грамма, но демонстрирует современный уровень производительности по стандарту PCIe Gen 4 ×4. Так, скорость последовательного чтения достигает 7400 МБ/с, записи — 6500 МБ/с, а уровень производительности при случайных 4K-операциях составляет до 1 000 000 IOPS на чтение и 820 000 при записи.

Для поддержания эффективного тепловыделения накопитель оснащен алюминиевой рамкой, графеновой термопрокладкой и термосиликоновым материалом. Поддерживаются TLC и QLC NAND-конфигурации емкостью от 512 ГБ до 4 ТБ. Благодаря модульной системе охлаждения с клипсами устройство можно адаптировать под форматы M.2 2230, 2242 или 2280, что делает его подходящим для ноутбуков, мини-ПК и портативных игровых консолей.

«Новая архитектура значительно повышает надежность — уровень дефектов снижается с ≤1000 DPPM (дефектов на миллион устройств) до ≤100 DPPM, то есть в десять раз меньше».

Longsys уже начала массовое производство этих накопителей и подала заявки на международные патенты, чтобы защитить уникальную технологию.