Samsung после почти семилетнего перерыва анонсировала возвращение на рынок своей усовершенствованной технологии высокопроизводительных накопителей Z-NAND. Новое поколение этих устройств специально ориентировано на индустрию систем искусственного интеллекта, где критически важна высокая скорость обработки данных.
Об этом сообщает ProIT
Преимущества обновленной технологии Z-NAND
По информации компании, новые Z-NAND SSD обеспечивают в 15 раз большую скорость работы по сравнению с современными NVMe-накопителями. Кроме того, в отдельных сценариях энергопотребление новых дисков может быть снижено до 80% по сравнению с обычной флеш-памятью NAND.
Технологические инновации и целевая аудитория
Одной из ключевых особенностей новых накопителей стала поддержка GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS). Благодаря этой технологии графический процессор сможет напрямую взаимодействовать с SSD, минуя центральный процессор и оперативную память. Это позволяет существенно сократить задержки при обработке данных, что критично для ресурсоемких задач искусственного интеллекта.
В сердце Z-NAND находится усовершенствованная память SLC V-NAND с уменьшенным размером страниц до 2–4 КБ, что значительно повышает эффективность работы с небольшими блоками данных.
«Сначала Z-NAND создавалась как альтернатива Intel 3D XPoint (Optane) — классу памяти, который занимал промежуточное место по скорости между DRAM и классическими NAND SSD. Однако Intel со временем отказалась от этой технологии, и теперь Samsung намерена занять освободившуюся нишу, учитывая стремительный рост рынка ИИ».
После отказа Intel от развития 3D XPoint (Optane), компания Samsung стремится занять лидирующие позиции в сегменте высокопроизводительных решений для быстро расширяющегося рынка искусственного интеллекта в 2025 году.