Техноблогер Dr. Semiconductor самостоятельно создал оперативную память в домашнем сарае

|
Техноблогер Dr. Semiconductor самостоятельно создал оперативную память в домашнем сарае

Техноблогер Dr. Semiconductor впервые в мире собственноручно изготовил элементы оперативной памяти (RAM) прямо в своем сарае, который он преобразовал в чистое помещение для работы с полупроводниками. В новом видео блогер подробно показал весь процесс создания микросхем, раскрыв тонкости построения современной электроники в домашних условиях.

Об этом сообщает ProIT

Домашнее производство микросхем и вызовы рынка RAM

До этого Dr. Semiconductor уже демонстрировал, как из обычного сарая создать лабораторию класса 100, пригодную для производства микросхем. В этот раз он утверждает, что впервые изготовил полноценные ячейки памяти для RAM в домашних условиях, используя собственноручно собранное оборудование. Энтузиаст отмечает, что дефицит оперативной памяти на рынке обусловлен не только огромным спросом со стороны дата-центров, но и значительным скачком цен, связанным с ажиотажем вокруг искусственного интеллекта. Нехватка продукции у трех основных производителей RAM вызвала повышение стоимости не только памяти, но и процессоров и графических карт.

“Я превратил сарай на заднем дворе в чистую комнату класса 100 для полупроводниковых технологий… но вопрос в том, могу ли я производить оперативную память самостоятельно?”, — отмечает блогер.

Технологический процесс создания RAM в домашних условиях

Dr. Semiconductor подробно объяснил принцип работы RAM: она основана на большом количестве конденсаторов и транзисторов. Для изготовления ячеек памяти он сначала подготовил и нарезал кремниевые пластины для формирования чипов. На поверхность пластины в специальной высокотемпературной печи наносился слой оксида кремния толщиной около 330 нм. Далее последовательно накладывались адгезионный слой и фоторезистивная пленка.

С помощью ультрафиолетового излучения наносился шаблон, который позволял проявителю смыть нужные участки фоторезиста. Формирование каналов для транзисторов происходило за счет травления слоев, легирования открытых участков и последующего отжига для лучшего проникновения легирующих элементов. Следующим этапом было создание электрических соединений: на пластину наносились тонкие слои металла для формирования контактов между компонентами чипа.

Завершив процесс, Dr. Semiconductor использовал микроманипуляторы для точного подключения к миниатюрным ячейкам DRAM и провел измерения. Полученные результаты показали, что полученные элементы имеют емкость 12 пФ, что соответствует современным стандартам. Экспериментатор планирует изготовить больший массив таких ячеек, которые можно будет использовать в составе компьютера.

Напомним, недавно исследователи из Корнеллского университета создали первый в мире чип, работающий на микроволнах, а ученые из Университета науки и технологий короля Абдаллы (KAUST) разработали первый шестислойный гибридный КМОН-чип.