Компанія Intel у співпраці з SoftBank завершує розробку інноваційного стандарту пам’яті Z-Angle Memory (ZAM), який має на меті перевершити сучасні технології пам’яті HBM. Новий стандарт позиціонується як потужна альтернатива HBM4 та навіть наближається за характеристиками до майбутнього HBM4E. Проте, вихід ZAM на ринок очікується не раніше 2028–2030 років, а серійне виробництво ще попереду.
Про це розповідає ProIT
Технічні деталі ZAM: архітектура та переваги
ZAM отримав 9-шарову структуру. В окремому стеку розміщено 8 модулів DRAM, між якими встановлені кремнієві підкладки завтовшки 3 мкм. Основна підкладка містить логічний контролер, що управляє всіма дев’ятьма модулями пам’яті. Кожен з трьох основних рівнів TSV (крізькремнієві переходи) має 13,7 тисячі міжз’єднань із застосуванням гібридного підходу. Один рівень забезпечує 1,125 ГБ, а отже, весь стек – 10 ГБ, або 30 ГБ на корпус. Площа стека складає 171 мм², а пропускна здатність сягає 0,25 Тб/с на мм², тобто 5,3 ТБ/с на кожен стек.
Особливості та інновації ZAM
Серед ключових переваг ZAM – підвищена щільність пропускної здатності (~0,25 Тб/с/мм²), що перевищує показники HBM. Окрім цього, новий стандарт вирізняється низьким енергоспоживанням завдяки оптимізації, а також поліпшеним тепловідведенням. Вертикальна архітектура ZAM забезпечує ефективніше управління температурою, тоді як традиційні HBM-технології часто стикаються з перегрівом через численні провідникові шари.
Технологія ZAM підтримує понад 9 шарів, використовуючи ультратонкі кремнієві елементи з наскрізними TSV-модулів у кожному шарі. Новий стандарт також пропонує бездротовий інтерфейс введення/виведення з використанням магнітного поля та вдосконалені технології об’єднання каналів для масштабування. Архітектура ZAM розрахована на застосування в галузі штучного інтелекту, усуваючи обмеження HBM для задач генеративного ШІ.
Забудьте про гігагерци при купівлі RAM: ось що насправді визначає швидкість пам’яті
Кінцева мета розробників — створити щільну 3D-конструкцію із застосуванням 3.5D-пакування, що дозволить поєднати вертикальні й горизонтальні шари, великий високошвидкісний стек пам’яті, лінії живлення/заземлення, кремнієву фотоніку та класичні інтерфейси введення/виведення на одній підкладці.
Окрім цього, на ринку пам’яті тривають інші новації: ASRock презентувала бюджетну модифікацію HUDIMM для ПК, а Samsung анонсує підготовку пам’яті QLC NAND нового покоління.
