Южнокорейский производитель микросхем памяти SK hynix представил обновленную дорожную карту развития DRAM и NAND-технологий во время SK AI Summit 2025. Компания обозначила, что следующее поколение графической памяти GDDR7-Next, а также твердотельные накопители с интерфейсом PCIe Gen7 появятся ориентировочно в период с 2029 по 2031 год. Обновленная стратегия охватывает как стандартные решения для массового рынка, так и специализированные продукты для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
Об этом сообщает ProIT
Ключевые планы на 2026–2028: новые HBM4, LPDDR6 и SSD на PCIe Gen6
В ближайшие три года SK hynix сосредоточится на развитии многослойных HBM4 (16-Hi) и HBM4E в вариантах 8, 12 и 16-Hi, а также разработает индивидуальные решения HBM4E для конкретных заказчиков. В то же время среди стандартных модулей оперативной памяти ожидается появление LPDDR6, которая станет основой для мобильных устройств и тонких ноутбуков.
Компания также создает специализированную серию памяти для ИИ — AI-D, в которую войдут:
- LPDDR5X SOCAMM2;
- MRDIMM Gen2;
- LPDDR5R;
- CXL LPDDR6-PIM второго поколения, который позволяет интегрировать вычислительные функции непосредственно в модули памяти.
В сегменте NAND планируется запуск PCIe Gen5 eSSD объемом до 245 ТБ на базе QLC-чипов, а также PCIe Gen6 eSSD для корпоративных систем и cSSD для конечных потребителей. Для мобильных устройств готовятся версии UFS 5.0 и первые продукты AI-N, которые объединяют память и базовую логику для задач искусственного интеллекта.
2029–2031: внедрение DDR6, GDDR7-Next и 400-слойной NAND
Во второй половине десятилетия SK hynix планирует выпуск GDDR7-Next — нового поколения графической памяти, которое превзойдет текущую GDDR7 по пропускной способности. Ожидается, что производители графических процессоров останутся на GDDR7 еще несколько лет, прежде чем массово перейдут на GDDR7-Next. Параллельно с этим компания готовит к запуску DDR6 и 3D DRAM, которые появятся в потребительских ПК и серверных решениях в конце 2020-х.
«Серия HBM также продолжит эволюцию: после HBM4E и кастомных решений компания планирует HBM5 и HBM5E, включая специализированные модификации. В таких вариантах большая часть логики (контроллер и протокольные IP) переносится в базовый слой кристалла, что снижает энергопотребление и освобождает площадь на GPU или ASIC. Производство этих базовых кристаллов SK hynix разрабатывает в партнерстве с TSMC».
В направлении NAND-памяти SK hynix разрабатывает PCIe Gen7 eSSD и cSSD, а также UFS 6.0 и 4D NAND с более чем 400 слоями, что обеспечит новый уровень плотности и производительности. Для систем с искусственным интеллектом готовятся продукты AI-N P “Storage Next” и AI-N B на базе High-Bandwidth Flash, которые откроют возможности для сверхбыстрого хранения и обработки данных.