Південнокорейський виробник мікросхем пам’яті SK hynix представив оновлену дорожню карту розвитку DRAM та NAND-технологій під час SK AI Summit 2025. Компанія окреслила, що наступне покоління графічної пам’яті GDDR7-Next, а також твердотільні накопичувачі з інтерфейсом PCIe Gen7 з’являться орієнтовно у період з 2029 по 2031 рік. Оновлена стратегія охоплює як стандартні рішення для масового ринку, так і спеціалізовані продукти для штучного інтелекту й високопродуктивних обчислень.
Про це розповідає ProIT
Ключові плани на 2026–2028: нові HBM4, LPDDR6 і SSD на PCIe Gen6
У найближчі три роки SK hynix зосередиться на розвитку багатошарових HBM4 (16-Hi) і HBM4E у варіантах 8, 12 та 16-Hi, а також розробить індивідуальні рішення HBM4E для конкретних замовників. Водночас серед стандартних модулів оперативної пам’яті очікується поява LPDDR6, яка стане основою для мобільних пристроїв і тонких ноутбуків.
Компанія також створює спеціалізовану серію пам’яті для ШІ — AI-D, до якої увійдуть:
- LPDDR5X SOCAMM2;
- MRDIMM Gen2;
- LPDDR5R;
- CXL LPDDR6-PIM другого покоління, що дозволяє інтегрувати обчислювальні функції безпосередньо в модулі пам’яті.
У сегменті NAND планується запуск PCIe Gen5 eSSD з об’ємом до 245 ТБ на базі QLC-чипів, а також PCIe Gen6 eSSD для корпоративних систем і cSSD для кінцевих споживачів. Для мобільних пристроїв готуються версії UFS 5.0 та перші продукти AI-N, які поєднують пам’ять і базову логіку для задач штучного інтелекту.
2029–2031: впровадження DDR6, GDDR7-Next та 400-шарової NAND
У другій половині десятиліття SK hynix планує випуск GDDR7-Next — нового покоління графічної пам’яті, яке перевершить поточну GDDR7 за пропускною здатністю. Очікується, що виробники графічних процесорів залишаться на GDDR7 ще кілька років, перш ніж масово перейдуть на GDDR7-Next. Паралельно з цим компанія готує до запуску DDR6 і 3D DRAM, які з’являться у споживчих ПК та серверних рішеннях наприкінці 2020-х.
«Серія HBM також продовжить еволюцію: після HBM4E і кастомних рішень компанія планує HBM5 і HBM5E, включно зі спеціалізованими модифікаціями. У таких варіантах більша частина логіки (контролер і протокольні IP) переноситься в базовий шар кристала, що зменшує енергоспоживання і вивільняє площу на GPU чи ASIC. Виробництво цих базових кристалів SK hynix розробляє у партнерстві з TSMC».
У напрямку NAND-пам’яті SK hynix розробляє PCIe Gen7 eSSD і cSSD, а також UFS 6.0 і 4D NAND із понад 400 шарами, що забезпечить новий рівень щільності та продуктивності. Для систем зі штучним інтелектом готуються продукти AI-N P “Storage Next” і AI-N B на базі High-Bandwidth Flash, які відкриють можливості для надшвидкого зберігання та обробки даних.