IBM и Lam Research разрабатывают EUV-резист для микросхем меньше 1 нм

|
IBM и Lam Research разрабатывают EUV-резист для микросхем меньше 1 нм

IBM и Lam Research объявили о начале пятилетнего сотрудничества, направленного на создание передового EUV-резиста, который позволит изготавливать логические микросхемы с размером транзистора меньше 1 нанометра. Планируется внедрение инновационных технологий в производство микросхем, используя высокоапертурную EUV-литографию и уникальный сухой резист Aether, разработанный Lam Research. Все исследования будут проводиться в лабораториях IBM Research на базе Albany NanoTech Complex в Нью-Йорке.

Об этом сообщает ProIT

Современные технологии и уникальные решения Aether

Партнерство между IBM и Lam Research продолжается уже более десяти лет. Компании ранее достигли значительных успехов в разработке 7-нм техпроцесса, создании нанолистовых транзисторов и внедрении ранних процессов EUV-литографии. В 2021 году IBM первой в мире представила чип, изготовленный по 2-нм технологии.

Новая угода предполагает тестирование комплексных техпроцессов для нанолистовых и наностековых транзисторов, а также применение питания с обратной стороны пластины. Для этого будут использоваться платформы травления Kiyo и Akara, системы охлаждения Striker и ALTUS Halo, а также сухой резист Aether. Последний обеспечивает улучшенное нанесение с помощью парофазных прекурсоров и плазменного сухого процесса, что отличает его от традиционных химически усиленных влажных резистов.

«Металлоорганические соединения Aether поглощают в 3-5 раз больше ультрафиолетового излучения по сравнению с традиционными резистивными материалами на основе углерода. Это снижает необходимую дозу облучения для каждого цикла на пластине и помогает поддерживать однократное формирование рисунка на передовых технологических узлах без необходимости более дорогого многократного формирования рисунка».

Преимущества технологии и перспективы развития

С помощью сухого резиста Aether компании планируют обеспечить качественное перенесение высокочастотных EUV-шаблонов на слои транзисторов, повысив отдачу и надежность производственного процесса. Применение такой технологии уменьшает количество этапов между экспозицией и травлением, что снижает риск деформации шаблона даже для сложных геометрий микросхем следующего поколения.

Транзисторы на основе нанолистов имеют многослойную структуру из нескольких кремниевых пластин, что позволяет повысить проводимость без увеличения размеров устройства. В рамках нового партнерства IBM и Lam Research будут работать над совершенствованием технологических процессов для таких транзисторов, а также для систем с обратним питанием через заднюю поверхность пластины, что повышает эффективность прохождения сигнала.

В январе Lam Research сообщила, что ведущий производитель памяти выбрал Aether в качестве основного компонента для новейших процессов производства DRAM. Главная цель сотрудничества — внедрить высокочастотные EUV-технологии в производство межсоединений и транзисторных шаблонов нового поколения, обеспечив стабильность и производительность даже при сложных технологических требованиях.

Современные исследования в сфере микроэлектроники демонстрируют интенсивную конкуренцию на рынке и необходимость инновационных решений. В частности, недавно исследователи Корнеллского университета создали первый в мире чип, который работает на микроволнах вместо стандартных цифровых схем.