Компания Nvidia официально подтвердила сотрудничество с Samsung Electronics для изготовления передовой памяти HBM4, а также анонсировала планы по запуску новых поколений — HBM5 и HBM5E. Основатель Nvidia Дженсен Хуанг высоко оценил инновационность памяти Samsung, подчеркнув её важность для дальнейшего развития компании.
Об этом сообщает ProIT
“Удивительная память”, — так охарактеризовал HBM4 Дженсен Хуанг.
Технологические особенности HBM5 и HBM5E
Модель HBM5, которую разрабатывает Samsung, будет базироваться на 2-нм техпроцессе для базового кристалла, а её стек DRAM — на 10-нм технологии “1c”. Обновленная версия HBM5E получит усовершенствованные DRAM-кристаллы “1d”, сохраняя тот же 2-нм базовый кристалл. Применение так называемого “шахматного порядка” в технологиях позволит минимизировать производственные риски и повысить стабильность поставок компонентов. Ожидается, что спрос на 4-нм производственный процесс, используемый для HBM4, будет расти в ближайшие месяцы.
GTC 2026: демонстрация партнерства и перспективы Groq 3
Во время конференции GTC 2026 в Калифорнии Samsung продемонстрировала своё крепкое сотрудничество с Nvidia, представив производство процессоров Groq 3 по 4-нм технологии. Руководитель Samsung подчеркнул высокий уровень качества собственного 4-нм процесса, отметив, что его нельзя считать посредственным. Присутствие представителей SK hynix — другого ведущего корейского поставщика HBM — подтвердило ключевую роль производителей из Южной Кореи для стратегии Nvidia.
Известно, что партнерство между Samsung и Nvidia по чипам Groq продолжается с 2023 года, а для стартапа Groq готовят новую архитектуру LPU. Запуск массового производства Groq 3 запланирован на границе третьего и четвертого кварталов текущего года, а рост спроса ожидается уже с 2027 года. Дженсен Хуанг назвал эти чипы “сверхбыстрыми” и оставил автограф на кремниевой пластине с новыми изделиями.