Южнокорейская компания Samsung активно работает над созданием инновационных технологий для производства чипов по 1-нм техпроцессу. На данный момент, по информации отраслевых источников, компания уже разрабатывает необходимые инструменты и технологические решения, однако до массового выпуска таких процессоров еще осталось несколько лет.
Об этом сообщает ProIT
Вызовы перехода к 1-нм техпроцессу
Переход от 2-нм к 1-нм технологии считается чрезвычайно сложной задачей даже по меркам полупроводниковой индустрии. Для преодоления физических ограничений Samsung планирует внедрить новую архитектуру Fork Sheet. Особенность этой архитектуры заключается во введении изолирующей «стенки» между транзисторами, что позволяет размещать их плотнее, не увеличивая площадь кристалла. По предварительным планам, завершение исследовательских работ ожидается до 2030 года, а запуск производства чипов по 1-нм технологии запланирован на 2031 год.
Технологические особенности и текущий статус разработок
В настоящее время компания использует архитектуру GAA (Gate-All-Around) для своих 2-нм процессоров, в которой электрический ток проходит по каналам со всех сторон транзистора, что существенно повышает энергоэффективность. Однако для дальнейшего уменьшения техпроцесса этого уже недостаточно, поэтому Fork Sheet рассматривается как следующий этап эволюции полупроводниковых технологий Samsung. Такой подход позволяет еще больше уплотнить компоненты внутри чипа, убирая лишние промежутки между элементами.
В то же время компания сталкивается с рядом трудностей во внедрении новейших технологий. В частности, недавно стало известно о чрезмерном энергопотреблении нового процессора Exynos 2600, изготовленного по 2-нм техпроцессу, что негативно сказывается на автономности устройств.
Переход от 2 до 1 нм считается крайне сложной задачей даже по меркам индустрии. Чтобы обойти физические ограничения, Samsung планирует использовать новую архитектуру под названием Fork Sheet. Ее суть — в добавлении изолирующей «стенки» между транзисторами, что позволяет плотнее упаковывать их на кристалле без увеличения площади.