Samsung офіційно повідомила про старт постачання тестових зразків новітньої 12-шарової пам’яті HBM4E найбільшим міжнародним компаніям. Це рішення є наступним етапом розвитку високошвидкісних модулів пам’яті й призначене для застосування у сфері штучного інтелекту, зокрема для обслуговування великих мовних моделей та обчислювальних кластерів у сучасних дата-центрах.
Про це розповідає ProIT
Основні технічні характеристики HBM4E
Виробник зазначає, що нова пам’ять HBM4E розвиває швидкість передачі даних до 14 Гбіт/с, з можливістю масштабування до 16 Гбіт/с. Пропускна здатність одного стеку сягає 3,6 ТБ/с, що відкриває широкі можливості для найвимогливіших обчислювальних систем, які використовуються у сфері штучного інтелекту та складних дата-центрах. Завдяки 12-шаровій архітектурі обсяг пам’яті досягає 48 ГБ — цей показник на понад 30% перевищує ємність попередніх версій.
Підвищення ефективності та плани розвитку
Samsung не лише збільшила обсяг пам’яті, а й суттєво покращила енергоефективність: удосконалення архітектури дозволили знизити енергоспоживання приблизно на 16% та оптимізували теплові характеристики більш ніж на 14%. У перспективі компанія планує розширити лінійку, представивши модулі об’ємом 32 ГБ та 64 ГБ.
“Після завершення етапу тестових постачань Samsung планує розпочати масове виробництво HBM4E відповідно до графіків замовників, розширюючи свою присутність на ринку пам’яті для штучного інтелекту”.
Таким чином, Samsung підтверджує намір зміцнити лідерські позиції у сегменті високопродуктивної пам’яті для AI-інфраструктури, відповідаючи на зростаючі вимоги сучасних обчислювальних систем.