Samsung официально сообщила о старте поставок тестовых образцов новейшей 12-слойной памяти HBM4E крупнейшим международным компаниям. Это решение является следующим этапом развития высокоскоростных модулей памяти и предназначено для применения в сфере искусственного интеллекта, в частности для обслуживания больших языковых моделей и вычислительных кластеров в современных дата-центрах.
Об этом сообщает ProIT
Основные технические характеристики HBM4E
Производитель отмечает, что новая память HBM4E развивает скорость передачи данных до 14 Гбит/с, с возможностью масштабирования до 16 Гбит/с. Пропускная способность одного стека достигает 3,6 ТБ/с, что открывает широкие возможности для самых требовательных вычислительных систем, которые используются в сфере искусственного интеллекта и сложных дата-центрах. Благодаря 12-слойной архитектуре объем памяти достигает 48 ГБ — этот показатель на более чем 30% превышает емкость предыдущих версий.
Повышение эффективности и планы развития
Samsung не только увеличила объем памяти, но и существенно улучшила энергоэффективность: усовершенствование архитектуры позволило снизить энергопотребление примерно на 16% и оптимизировало тепловые характеристики более чем на 14%. В перспективе компания планирует расширить линейку, представив модули объемом 32 ГБ и 64 ГБ.
«После завершения этапа тестовых поставок Samsung планирует начать массовое производство HBM4E в соответствии с графиками заказчиков, расширяя свое присутствие на рынке памяти для искусственного интеллекта».
Таким образом, Samsung подтверждает намерение укрепить лидерские позиции в сегменте высокопроизводительной памяти для AI-инфраструктуры, отвечая на растущие требования современных вычислительных систем.