Компанія Samsung розробляє нову технологію пам’яті для мобільних пристроїв, яка має потенціал значно підвищити ефективність роботи вбудованого штучного інтелекту у смартфонах та планшетах. Йдеться про впровадження високошвидкісної пам’яті типу HBM, яка раніше використовувалася переважно у серверах і спеціалізованих прискорювачах для ШІ.
Про це розповідає ProIT
Інноваційна упаковка та новий підхід до конструкції
Samsung планує адаптувати HBM для мобільного сегмента, вирішуючи основні проблеми, пов’язані з розмірами, охолодженням та енергоспоживанням традиційних чіпів. Для цього компанія застосовує технологію Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP), яка вже довела свою ефективність у сучасних мобільних процесорах.
Особливістю нового покоління пам’яті є вертикальне розташування кристалів із використанням надтонких мідних стовпчиків. Це дозволяє збільшити щільність з’єднань і, за оцінками, підвищити швидкість передачі даних приблизно на 30%. Водночас удосконалена архітектура забезпечує контроль над тепловиділенням і споживанням енергії.
Перспективи впровадження HBM у смартфонах
Очікується, що HBM-пам’ять суттєво прискорить виконання ШІ-завдань безпосередньо на пристрої – від генерації зображень і роботи голосових асистентів до складної обробки відео та текстових даних, що зменшить залежність від хмарних сервісів.
«Технологія HBM здатна помітно прискорити локальну обробку ШІ-завдань на смартфонах – від генерації зображень та роботи голосових помічників до складних функцій обробки відео та тексту без звернення до хмарних серверів».
За неофіційною інформацією, першою платформою Samsung із цією революційною пам’яттю може стати майбутній процесор Exynos 2800 або наступна версія Exynos 2900. Подібні рішення вже досліджують й інші технологічні лідери, зокрема Apple та Huawei.
Втім, наразі масове впровадження HBM у мобільних пристроях стикається з високою собівартістю, оскільки ціни на мобільну DRAM продовжують зростати. Це змушує виробників обережно оцінювати економічну доцільність застосування таких інновацій у споживчій електроніці.